主要检测SiC晶圆衬底片和同质外延片：划痕、小坑、凸起、污渍、微管(MP)、层错(SF)、位错等缺陷

该设备为切割相关工艺提供专用的检测和计量解决方案，专用的碎裂检测算法可确保芯片的完整性，解决隐形和等离子切割等新切割技术侧壁裂纹是致命缺陷。

主要检测 Micro LED晶圆外观缺陷：爆点、双晶、划伤、压伤、Sio2 脱/ITO 脱、背镀偏薄，缺失、多金 、发光区不良、黑点、切偏、无针痕等

主要检测MiniLED晶圆外观缺陷：爆点、双晶、划伤、压伤、Sio2 脱/ITO 脱、背镀偏薄、崩边崩角、发光区污染、多金 、发光区不良、黑点、切偏、无针痕等缺陷

主要检测TGV微孔的孔径大小， 通孔有无，通断、裂纹、漏点以及不通、孔内异物、玻璃渣、脏污、划痕、盲孔、 崩边，裂纹，表面Particle等缺陷，以及通孔中心孔径，通孔圆度。

主要检测晶圆缺陷检测：裸晶圆、切割后晶圆缺陷检测（切割道、COW、COT、D2W 等）；多种类型Bump高度、共面度检测和测量；RDL CD和高度测量、表面缺陷检测，支持最小 2x2μm L/S

主要检测玻璃基板、来料厚度量测、partical、scratch、残胶等缺陷检测， 一键换型： 新规格，换型时间<10min

主要检测：诱导点有无检测，输出漏孔坐标、激光光斑，板面缺陷：划痕、裂纹、脏污等

主要检测：脏污、孔有无、双面孔径&圆度、腰孔径、孔内异物等；孔测量：表面孔直径、表面孔真圆度、腰孔直径、腰孔真圆度、孔位置度、上下表面孔同心度@±1um

主要检测：RDL线宽/线距测量，最小检测线宽线距2um*2um；凹陷、污染、脱落、色差、位移计算、线宽线距、开短路、残留、残金、划伤等

主要量测：CD/OVL ，die position 及 偏移量；外观不良检测：污染/脱落/色差/切偏/正崩/残金/刮伤/晶粒位移&角度计算@3X，≥2.0um*2.0um瑕疵